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碳化硅陶瓷及其复合材料的热等静压烧结研究
引用本文:余继红,江东亮.碳化硅陶瓷及其复合材料的热等静压烧结研究[J].无机材料学报,1996,11(4):646-652.
作者姓名:余继红  江东亮
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所
摘    要:本文通过采用热等静压(HIP)这一先进的烧结工艺,研究了Al2O3添加量对SiC陶瓷之显微结构与力学性能的影响。并成功地制备出Si3N4粒子以及SiC晶须补强的SiC基复合材料,结果表明:Al2O3是HIP烧结SiC陶瓷及其复合材料的有效添加剂,当添加3wt%Al2O3时,采用HIP烧结工艺在1850℃温度和200MPa压力下烧结1h就可获得密度分别高达97.3%、99.4%和97.0%的SiC的

关 键 词:陶瓷  复合材料  热等静压  烧结

Studies on Hot Isostatic Pressing of Silicon Carbide Ceramics and Silicon Carbide Based Composites
She Jihong, Jiang Dongliang, Tan Shouhong, Guo Jingkun.Studies on Hot Isostatic Pressing of Silicon Carbide Ceramics and Silicon Carbide Based Composites[J].Journal of Inorganic Materials,1996,11(4):646-652.
Authors:She Jihong  Jiang Dongliang  Tan Shouhong  Guo Jingkun
Abstract:
Keywords:silicon carbide  ceramics  composites  hot isostatic pressing  densification
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