纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂 |
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引用本文: | 李健,宋淑芳,等.纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂[J].真空科学与技术,2002,22(2):149-152. |
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作者姓名: | 李健 宋淑芳 |
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作者单位: | 内蒙古大学理工学院,呼和浩特010021 |
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摘 要: | 用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片(100)上制备Zn薄膜,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜,对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂,氧化获得纳米ZnO:P和ZnO:B薄膜,研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜的结构、电学性能的影响。结果表明:氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分。
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关 键 词: | 真空蒸发 纳米ZnO薄膜 液态源掺杂 氧化 氧化锌薄膜 纳米半导体薄膜 |
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