首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅳ.全面溶解的抑制
引用本文:卢江,曹婉真,徐友龙.国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅳ.全面溶解的抑制[J].电子元件与材料,1992(4).
作者姓名:卢江  曹婉真  徐友龙
作者单位:西安交通大学 (卢江,曹婉真),西安交通大学(徐友龙)
摘    要:通过对各级工艺环节处理前后铝箔厚度变化的测量,发现全面溶解产生于两级电化学处理,第一锻电化学处理厚度变化30μm左右,第二级电化学处理厚度变化10μm左右。用氢氧化钠调节第一级电化学处理液的酸度,在氢氧化钠含量大于46g·L~(-1)时,第一级电化学处理不再发生全面溶解。由铬酸盐转化膜的性质出发,中硝酸处理前对转化膜进行加热改性处理,使第二级电化学腐蚀不再发生全面溶解。对盐酸+硫酸、盐酸+硫酸+氟化铵,盐酸+硫酸+铬酸酐、盐酸+硫酸+铬酸酐+氟化铵溶液对铝箔的溶解速率的测定,发现铬酸酐的加入使溶解速率比盐酸+硫酸溶液大80倍左右,而氟化铵的加入仪提高6~9倍,即铬酸酐是最重要的影响因素。

关 键 词:铝箔  隧道腐蚀  全面溶解  铝电解电容器
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号