| 红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究 |
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| 引用本文： | 苏辉,张荣,谢自力,刘斌,李毅,傅德颐,赵红,华雪梅,韩平,施毅,郑有炓.红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究[J].半导体技术,2011,36(10):747-750. |
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| 作者姓名： | 苏辉 张荣 谢自力 刘斌 李毅 傅德颐 赵红 华雪梅 韩平 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家自然科学基金(60990311,60820106003,60906025,60936004);江苏省自然科学基金(BK2008019,BK2010385,BK2009255,BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金(2008003) |
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| 摘 要： | 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近。变温PL(15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm。由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的"S"变化趋势。
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| 关 键 词： | InGaN/GaN多量子阱 金属有机化学气相沉积 光致荧光谱 原子力显微镜 红橙光 |
Structrual and Optical Properties Research of the InGaN/GaN MQW Emiting Red-Orange |
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| Su Hui,Zhang Rong,Xie Zili,Liu Bin,Li Yi,Fu Deyi,Zhao Hong,Hua Xuemei,Han Ping,Shi Yi,Zheng Youdou.Structrual and Optical Properties Research of the InGaN/GaN MQW Emiting Red-Orange[J].Semiconductor Technology,2011,36(10):747-750. |
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| Authors: | Su Hui Zhang Rong Xie Zili Liu Bin Li Yi Fu Deyi Zhao Hong Hua Xuemei Han Ping Shi Yi Zheng Youdou |
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| Affiliation: | dou (Jiangsu Provincicol Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Science and Technology, School of Electronic Science and Engineering,Nanjing University,Nanjing 210093,China) |
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| Abstract: | The InGaN/GaN multi-quantum well(MQW)with high indium content was grown by metal-organic chemical deposition(MOCVD).The ω-2θ curve of InGaN/GaN MQW was determined by high resolutione X-ray diffraction(HRXRD)and corresponding In composition of 28% in the well was obtained by simulating this curve.At room temperature the red-orange light emitting with the peak value of 610 nm can be obviously observed.Furthermore,temperature-dependent PL spectrum(10-300 K)demonstrates two light-emitting mechanisms at low temperature in the InGaN quantum well.The corresponding peak values are located at 610 nm and 538 nm,respectively.Due to In segregation and carrier localization effects in the InGaN/GaN MQW,the S-shaped PL peaks with increasing temperature are observed. |
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| Keywords: | InGaN/GaN multi-quantum well(MQW) metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) photoluminescence(PL) atomic force microscopy(AFM) red-orange light |
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