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| 电化学阳极氧化制备多孔硅及其发光性能研究 | |
| 引用本文： | 刘东来,聂二勇,张云森,袁超,沈晓帆,杨治美,刘俊刚,龚敏,孙小松. 电化学阳极氧化制备多孔硅及其发光性能研究[J]. 半导体光电, 2011, 32(3): 375-379 |
| 作者姓名： | 刘东来 聂二勇 张云森 袁超 沈晓帆 杨治美 刘俊刚 龚敏 孙小松 |
| 作者单位： | 1. 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064 2. 四川大学物理科学与技术学院微电子科学与技术四川省重点实验室,成都,610064 3. 四川大学重庆光电技术研究所,重庆,400060 4. 四川大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 利用电化学阳极氧化法,通过控制电流密度和电解液的成分,在p型(100)硅衬底上制备了大孔的多孔硅结构,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外荧光光度计研究了不同条件下制备的多孔硅样品的行貌特征、结构和发光性能。在此基础上进一步考察了对多孔硅样品进行氢氟酸浸泡刻蚀和阴极氢饱和处理对其发光性能的影响。讨论了后处理对多孔硅发光性能影响的机理。 |
| 关 键 词： | 多孔硅 电化学阳极氧化 氢饱和处理 光致发光 |
Photoluminescence of Porous Silicon Prepared by Electrochemical Anodization |
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| LIU Donglai,NIE Eryong,ZHANG Yunsen,YUAN Chao,SHEN Xiaofan,YANG Zhimei,LIU Jungang,GONG Min,SUN Xiaosong. Photoluminescence of Porous Silicon Prepared by Electrochemical Anodization[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2011, 32(3): 375-379 | |
| Authors: | LIU Donglai NIE Eryong ZHANG Yunsen YUAN Chao SHEN Xiaofan YANG Zhimei LIU Jungang GONG Min SUN Xiaosong |
| Affiliation: | 1(1.School of Materials Science and Engineering;2.School of Physical Science and Technology,Key Lab.of Microelectronics and Technology,Sichuan University,Chengdu 610064,CHN;3.Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN) |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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