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多层初始晶硅薄膜的微观结构及光电导特性分析
引用本文:于,威,赵思铭,牛继伟,杨彦斌,马登浩,李晓苇,傅广生.多层初始晶硅薄膜的微观结构及光电导特性分析[J].人工晶体学报,2014,43(4):790-795.
作者姓名:    赵思铭  牛继伟  杨彦斌  马登浩  李晓苇  傅广生
作者单位:河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002
基金项目:河北省应用基础研究重点项目(12963930D);河北省自然科学基金(F2013201250);河北省科学技术研究计划(ZH2012030)
摘    要:采用等离子体增强化学气相沉积技术通过高氢和低氢稀释层交替生长制备出多层初始晶硅薄膜,利用Raman散射、红外吸收、紫外可见吸收及I-V测量等技术分析了薄膜的微观结构、能带特征和光电导特性.结果显示,不同氢稀释层交替生长导致薄膜由非晶硅向初始晶硅结构转变,随高氢稀释层厚度的增加,薄膜微观结构有序性提高,所对应薄膜光学带隙减小,而带尾分布展宽.I-V测量显示,薄膜微观结构有序性提高和光学带隙降低的共同作用导致薄膜光敏性呈现先减小后增加趋势,然而,在高氢稀释层厚度较大时,纳米晶硅边界载流子快速复合导致薄膜光敏性的显著减小.

关 键 词:多层初始晶硅  微结构有序性  光敏性  

Analysis of Microstructure and Photoconductivity Properties of Protocrystalline Silicon Multilayer Thin Films
YU Wei,ZHAO Si-ming,NIU Ji-wei,YANG Yan-bin,MA Deng-hao,LI Xiao-wei,FU Guang-sheng.Analysis of Microstructure and Photoconductivity Properties of Protocrystalline Silicon Multilayer Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(4):790-795.
Authors:YU Wei  ZHAO Si-ming  NIU Ji-wei  YANG Yan-bin  MA Deng-hao  LI Xiao-wei  FU Guang-sheng
Abstract:
Keywords:
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