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微机电系统中SU-8厚光刻胶的内应力研究
引用本文:杜立群,朱神渺. 微机电系统中SU-8厚光刻胶的内应力研究[J]. 光学精密工程, 2007, 15(9): 1377-1382
作者姓名:杜立群  朱神渺
作者单位:大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116023;大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁,大连,116023
基金项目:国家自然科学基金 , 教育部和大连市留学回国人员科研启动基金
摘    要:在对基片曲率法常用的Stoney公式进行必要修正的基础上,提出了适合计算SU-8胶层内应力的理论模型,并采用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化.通过ANSYS仿真揭示了基片直径,胶层厚度及后烘温度三者对基片曲率的影响.仿真结果表明:后烘温度是影响胶层内应力的主要因素.实验测量了后烘温度分别为55℃、70℃和85℃三种条件下的SU-8胶层的内应力.结果表明:降低后烘温度能有效地减小SU-8胶层的内应力,实验测量值与仿真计算值基本吻合.内应力的测量为SU-8胶层内应力的定量研究奠定了基础.

关 键 词:SU-8  内应力测量  基片曲率法  Stoney 公式
文章编号:1004-924X(2007)09-1377-06
收稿时间:2007-01-25
修稿时间:2007-01-25

Study on internal stress of thick SU-8 layer in MEMS
DU Li-qun,ZHU Shen-miao. Study on internal stress of thick SU-8 layer in MEMS[J]. Optics and Precision Engineering, 2007, 15(9): 1377-1382
Authors:DU Li-qun  ZHU Shen-miao
Abstract:
Keywords:
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