AM混合相Si：P：H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH4/PH3混合气体的高频辉光放电法，在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性，并对样品作了高温退火试验，应用x射线衍射和红外吸收，对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明，所淀积的是一种微晶－非晶混合相掺P氢化非晶硅膜（AM－Si:P:H)。这种膜具有良好的光电性能，较高的掺杂效率。经退火后，光电性能有所改善，是P－i-n太阳能电池所希望n^ 材料。