| 90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度 |
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| 引用本文： | 鲍立,庄奕琪,马晓华,包军林.90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度[J].半导体学报,2007,28(9):1443-1447. |
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| 作者姓名： | 鲍立 庄奕琪 马晓华 包军林 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 研究了SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(random telegraph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区RTS噪声的方法,引入了陷阱电荷影响栅电极的电荷分布,进而对沟道电流产生影响的机制.研究表明,该方法不仅符合实验结果,还可以解释RTS幅度的宽范围分布.
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| 关 键 词： | RTS 幅度 深亚微米 MOS |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）09-1443-05 |
| 修稿时间： | 4/5/2007 12:06:38 PM |
RTS Amplitude of 90nm MOS Devices in Sub-Threshold Region |
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| Bao Li,Zhuang Yiqi,Ma Xiaohua and Bao Junlin.RTS Amplitude of 90nm MOS Devices in Sub-Threshold Region[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(9):1443-1447. |
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| Authors: | Bao Li Zhuang Yiqi Ma Xiaohua and Bao Junlin |
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| Affiliation: | Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics Engineering,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics Engineering,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics Engineering,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics Engineering,Xidian University,Xi'an 710071,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RTS amplitude deep sub-micron MOS |
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