| SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析 |
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| 引用本文： | 卜伟海,黄如,徐文华,张兴. SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析[J]. 半导体学报, 2001, 22(9): 1147-1153 |
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| 作者姓名： | 卜伟海 黄如 徐文华 张兴 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所，北京100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);20000365; |
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| 摘 要： | 针对 SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟 ,通过改变器件参数 ,比较系统地考察了 SOI器件中瞬态浮体效应 ,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对 CMOS/SOI电路 (以环振电路为例 )的影响 ,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构和参数优化设计 .
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| 关 键 词： | SOI 浮体效应 环振 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)09-1147-07 |
| 修稿时间： | 2000-11-22 |
Model and Analyses of Transient Floating-Body Effect of SOI Devices |
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| BU Wei-hai,HUANG Ru,XU Wen-hua and ZHANG Xing. Model and Analyses of Transient Floating-Body Effect of SOI Devices[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(9): 1147-1153 |
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| Authors: | BU Wei-hai HUANG Ru XU Wen-hua ZHANG Xing |
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| Abstract: | The behavior of transient floating-body effect in SOI MOSFET is simulated.The performance of the device is systematically reviewed by changing the parameters of the device.The influence of the transient floating body on CMOS/SOI circuits is also studied and analyzed,taking a ring oscillator as an example.A device structure is proposed to control the floating-body effect as well as the optimum design of the parameters. |
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| Keywords: | SOI floating-body effect ring oscillator |
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