| 利用г—X混合在AlAs／GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储 |
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| 引用本文： | 彭进,胡冰,等.利用г—X混合在AlAs／GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储[J].人工晶体学报,2002,31(4):361-364. |
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| 作者姓名： | 彭进 胡冰 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室，北京100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究计划项目(G001CB3095)和中国自然科学基金(60076026)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用GaAs量子阱中г谷束缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振г-X混合，使得光生电子不仅在实空间而且在K窨 与光生空穴分离开来，从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实。如果将我们的器件用作光存储单元，预期可以获得很长的存储时间Ts。同时，由于г-X混合隧穿速率很快，光子“读出”仍可以保持很快。
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| 关 键 词： | г－X混合 AlAs／GaAs异质结构 光生电子 空穴对 持久存储 C－V特性 |
| 文章编号： | 1000-985(2002)04-0361-04 |
| 修稿时间： | 2002年5月20日 |
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