首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析
引用本文:黄生荣,刘宝林.激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析[J].光电子.激光,2004,15(7):831-834.
作者姓名:黄生荣  刘宝林
作者单位:厦门大学物理系,福建,厦门,361005
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60276029);福建省自然科学基金资助项目(A0210006)资助项目
摘    要:分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。

关 键 词:激光剥离  GaN/Al2O3材料  温度分布  脉冲宽度
文章编号:1005-0086(2004)07-0831-04

Temperature Distribution Analytical Calculation for the Laser Lift-off of GaN/Al2O3 Material
HUANG Sheng-rong.Temperature Distribution Analytical Calculation for the Laser Lift-off of GaN/Al2O3 Material[J].Journal of Optoelectronics·laser,2004,15(7):831-834.
Authors:HUANG Sheng-rong
Affiliation:HUANG Sheng-rong~
Abstract:The process of laser lift-off of GaN thin films from substrates was analysed.A temperature distribution analytical calculation form of the GaN/Al_2O_3 material irradiated by pulsed laser was presented under one dimension,and the temperature calculation form of different interface was obtained.The results show that the temperature of interface is in proportion to the square root of time when the material is irradiated by single pulse laser,however,it increases saw-like when the material is irradiated by continuous pulse laser.
Keywords:laser lift-off  GaN  temperature distribution
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《光电子.激光》浏览原始摘要信息
点击此处可从《光电子.激光》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号