掩模衍射频谱轴向分量对光刻成像性能的影响EI北大核心CSCD |
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引用本文: | 董立松李艳秋郭学佳.掩模衍射频谱轴向分量对光刻成像性能的影响EI北大核心CSCD[J].光学学报,2013(11):69-75. |
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作者姓名: | 董立松李艳秋郭学佳 |
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作者单位: | 1.北京理工大学光电学院光电成像技术与系统教育部重点实验室100081; |
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基金项目: | 国家自然科学基金(60938003);国家科技重大专项(2012ZX02701001-005) |
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摘 要: | 传统三维光刻矢量成像模型中将投影系统物方电磁场表示为二维形式,实现方式分为两种:采用局部坐标和忽略掩模衍射频谱的轴向分量。后者在浸没式光刻系统仿真中的适用性需要进一步分析。简述了忽略掩模频谱轴向分量的矢量成像模型和引入该分量的全光路三维光刻矢量成像模型,利用这两种模型和商业仿真软件,研究了掩模衍射频谱轴向分量对光刻胶中成像特征尺寸的影响并对结果进行了讨论。研究结果表明,相干照明和部分相干照明条件下,掩模衍射频谱轴向分量对光刻成像的影响随着数值孔径的变化趋势存在较大差异。这说明相干照明下的分析结论并不适用于部分相干照明条件,且只有全光路三维矢量成像模型才能满足浸没式高分辨光刻仿真的要求。
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关 键 词: | 成像系统 物理光学 浸没式光刻 矢量成像模型 衍射频谱 |
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