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| 基于0.13μm CMOS工艺的功率放大器设计 | |
| 作者单位： | ;1.西安邮电大学电子工程学院 |
| 摘 要： | 基于0.13μm CMOS工艺,设计13~15GHz带有分布式有源变压器的集成功率放大器。利用分布式有源变压器功率合成的特点,将其作为负载去匹配功放单元,采用共源共栅级与共源级级联的功放单元结构来提高功放单元的增益和输出功率;采用浮栅结构来减小分布式有源变压器和片上巴伦的插入损耗;功分器采用带栅格参考地的结构提高电路的性能。仿真结果表明,在13~15GHz频段,该功放的饱和输出功率为20dBm,功率附加效率为10%,功率增益为12.5dB,输出功率和功率增益有所提高,减小了插入损耗。 |
| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体 分布式有源变压器 浮栅 功率放大器 |
Design of power amplifier in 0.13μm CMOS process |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
