| 调制掺杂的应变In_(0.60)Ga_(0.40)As/In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱结构的光致发光谱研究 |
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| 引用本文： | 沈文忠,唐文国,常勇,李自元,沈学础,A.DIMOULAS.调制掺杂的应变In_(0.60)Ga_(0.40)As/In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱结构的光致发光谱研究[J].物理学报,1996(2). |
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| 作者姓名： | 沈文忠 唐文国 常勇 李自元 沈学础 A.DIMOULAS |
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| 作者单位： | 中国科学院红外物理国家重点实验室，中国科学院红外物理国家重点实验室，中国科学院红外物理国家重点实验室，中国科学院红外物理国家重点实验室，中国科学院红外物理国家重点实验室，Foundation for Research and Technolgy-Hellas，P.O.Box 1527，Heraklion 71110，Crete，Greece 上海200083，上海200083，上海200083，上海200083，上海200083 |
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| 摘 要： | 报道了调制掺杂的应变In_(0.60)Ga_(0.40)As/In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱中室温光致发光光谱.观察到n=1和2电子子带到n=1重空穴子带的强发光峰.在低温下可以观察到n=1电子子带到n=1轻空穴弱发光肩胛.通过对发光强度随激发功率及温度依赖关系以及理论模型的分析研究,认为该调制掺杂量子阱中辐射复合效率降低的主要机制是应变失配位错对载流子的陷阱作用.界面上的失配位错是陷阱的主要来源.并用静态的光致发光理论模型对实验结果进行了解释.
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