| 激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布 |
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| 引用本文： | 屠海令,张峰翊,王永鸿,钱嘉裕,马碧春. 激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布[J]. 稀有金属, 1998, 22(6): 450-451 |
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| 作者姓名： | 屠海令 张峰翊 王永鸿 钱嘉裕 马碧春 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京,100088 |
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| 摘 要： | 采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型分布，和半绝缘ＧａＡｓ晶片中ＥＰＤ的“Ｗ”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上，对ＧａＡｓ晶片的寿命进行了讨论。
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| 关 键 词： | 复合寿命 半绝缘GaAs 激光／微波光电导衰减 |
Study on Recombination Lifetime Distribution of SI-GaAs by Laser/Microwave Photoconductance Decay Technique |
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| Tu Hailing,Zhang Fengyi,Wang Yonghong,Qian Jiayu,Ma Bichun. Study on Recombination Lifetime Distribution of SI-GaAs by Laser/Microwave Photoconductance Decay Technique[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 1998, 22(6): 450-451 |
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| Authors: | Tu Hailing Zhang Fengyi Wang Yonghong Qian Jiayu Ma Bichun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Recombination lifetime SI GaAs Laser/Microwave Photoconductance Decay |
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