n—型SrTiO_3半导瓷的压敏特性

采用一次烧成法研制成了具有压敏特性的n—型SrTiO_3晶界层电容器。n—型SrTiO_3半导瓷的压敏特性起因于氧化保温阶段晶粒表面的吸附氧、锶空位V_(sr)”(或V_(sr)')及掺杂的受主体Cu~+对Sr~(2+)位的不等价取代所组成的晶界内过剩负电荷。讨论了La_2O_3/CuO在0.5～2.5、氧化保温时间τO_2在10至25分钟时对SrTiO_3半导瓷的非线性系数a和V_(1mA/mm)的影响。