| 823×592元内线转移CCD图像传感器 |
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| 引用本文： | 杨洪,雷仁方,郑渝,吕玉冰,翁雪涛.823×592元内线转移CCD图像传感器[J].半导体光电,2015,36(6):905-908. |
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| 作者姓名： | 杨洪 雷仁方 郑渝 吕玉冰 翁雪涛 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3 μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制.该器件水平驱动频率可达30 MHz,峰值响应波长位于550 nm,动态范围62.6 dB.
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| 关 键 词： | 内线转移CCD 光电特性 纵向抗晕 |
| 收稿时间： | 2014/10/29 0:00:00 |
An Interline CCD Image Sensor with 823 × 592 Pixels |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | interline CCD photoelectric characteristics vertical-blooming |
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