| 基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析 |
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| 引用本文： | 王巍,杜超雨,王婷,鲍孝圆,陈丽,王冠宇,王振,黄义.基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析[J].半导体光电,2015,36(6):888-891,908. |
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| 作者姓名： | 王巍 杜超雨 王婷 鲍孝圆 陈丽 王冠宇 王振 黄义 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065;重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065;重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065;重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065;重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065;重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065;重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065;重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065 |
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| 摘 要： | 提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构.采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析.仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿.CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65 A/W,最大内部量子效率达到90％以上,响应速度能够达到6.3 GHz,在400～900 nm波长范围内,能够得到很大的响应度.
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| 关 键 词： | 0.35 μm CMOS工艺 雪崩光电二极管 器件仿真 边缘击穿 保护环 |
| 收稿时间： | 3/6/2015 12:00:00 AM |
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