| 硅片背面减薄技术研究 |
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| 引用本文： | 江海波,熊玲,朱梦楠,邓刚,王小强.硅片背面减薄技术研究[J].半导体光电,2015,36(6):930-932,963. |
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| 作者姓名： | 江海波 熊玲 朱梦楠 邓刚 王小强 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形.分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表面和截面形貌进行了表征,用原子力显微镜测试了硅片表面的粗糙度,用翘曲度测试仪测试了硅片的翘曲度.结果表明,经过粗磨与精磨后的硅片存在机械损伤,表面粗糙且翘曲度大,粗糙度分别为0.15和0.016 μm,翘曲度分别为147和109 μm;经过抛光和湿法腐蚀后的样品无表面损伤,粗糙度均小于0.01 μm,硅片翘曲度低于60 μm.
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| 关 键 词： | 硅晶圆 背面减薄 损伤 抛光 湿法腐蚀 |
| 收稿时间： | 6/2/2015 12:00:00 AM |
Study on Wafer Backside Thinning Technique |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon wafer backside thinning damage layer chemical mechanical polishing wet etching |
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