| 不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析 |
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| 引用本文： | 程雨,刘京明,刘彤,苏杰,杨凤云,董志远,赵有文. 不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析[J]. 半导体光电, 2015, 36(6): 922-924,938 |
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| 作者姓名： | 程雨 刘京明 刘彤 苏杰 杨凤云 董志远 赵有文 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（61744104） |
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| 摘 要： | 对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga-Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑.分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系.
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| 关 键 词： | 锑化镓 XPS 表面氧化 表面形貌 |
| 收稿时间： | 2015-02-13 |
Analysis on Chemical Constituents and Surface Morphology of the Gallium Atimonide Wafers with Different Crystal Orientations |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaSb XPS surface oxidation surface morphology |
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