| 大阵列CCD光刻图形拼接技术研究 |
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| 引用本文： | 李佳,高建威,袁安波,杨修伟,杨洪.大阵列CCD光刻图形拼接技术研究[J].半导体光电,2015,36(6):936-938. |
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| 作者姓名： | 李佳 高建威 袁安波 杨修伟 杨洪 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 针对大阵列CCD工艺制作过程中光刻大面积图形曝光的需求,提出了一种适用于光刻拼接的图形补偿方法.图形拼接处进行相反的补偿设计0.3 μm“凹陷”,曝光时拼接交叠0.3μm.光刻后,图形拼接处平滑、自然过渡,图形整体上拼接自然,较好地解决了光刻大面积图形曝光存在的固有图形缺陷问题,改善了光刻曝光图形的质量.
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| 关 键 词： | 大阵列 CCD 光刻 拼接 图形 |
| 收稿时间： | 2014/12/30 0:00:00 |
Study on Lithography Pattern Stitching of Large Array CCD |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | large array CCD lithography stitching pattern |
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