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| 自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究 | |
| 引用本文： | 张少强,徐重阳,邹雪城,周雪梅,赵伯芳,袁奇燕,符晖,王长安.自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究[J].微电子学,1995(5). |
| 作者姓名： | 张少强 徐重阳 邹雪城 周雪梅 赵伯芳 袁奇燕 符晖 王长安 |
| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系 |
| 摘 要： | 本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。 |
| 关 键 词： | 非晶硅，薄膜晶体管，液晶显示器 |
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