| 多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟 |
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| 引用本文： | 刘其贵,吴金,郑娥,魏同立,何林. 多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟[J]. 电子器件, 2002, 25(1): 97-100 |
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| 作者姓名： | 刘其贵 吴金 郑娥 魏同立 何林 |
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| 作者单位： | 1. 东南大学微电子中心,南京,210096
2. 信息产业部电子第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上，根据国内现有的双极工艺水平，设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程，并给出了一个最小尺寸晶体管的版图，最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。
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| 关 键 词： | 多晶硅 发射极 双极晶体管 工艺设计 计算机模拟 |
| 文章编号： | 1005-9490(2002)01-0097-04 |
Technology Des ign and Computer Simulationof Polys il icon Em itter Bipolar Tran s istors |
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| L IU Q ig u I,W U J in,ZH EN G E,W E I T ong li,H E L in. Technology Des ign and Computer Simulationof Polys il icon Em itter Bipolar Tran s istors[J]. Journal of Electron Devices, 2002, 25(1): 97-100 |
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| Authors: | L IU Q ig u I W U J in ZH EN G E W E I T ong li H E L in |
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| Affiliation: | LIU Qigui 1,WU Jin 1,ZHENG E 2,WEI Tongli 1,HE Lin 2 1.Microelectronic Center,Southeast University,Nanjing 210096 2. The 24+{th} Institute,MEI,Chongqing 400060) |
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| Abstract: | After a brief analysis of the advantages of polysilicon emitter bipolar transistors, a new technological process for the transistors is designed in this paper according to the bipolar technology available in our country, and the layout of a minimum size transistor is represented. Finally, the frequency characteristic of the designed transistor has been simulated. |
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| Keywords: | polysilicon emitter bipolar transistor bipolar technology |
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