| 采用ECR-PEMOCVD方法进行立方和六方GaN单晶薄膜生长的准热力学模型和相图 |
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| 引用本文： | 王三胜,顾彪.采用ECR-PEMOCVD方法进行立方和六方GaN单晶薄膜生长的准热力学模型和相图[J].半导体学报,2004,25(9):1041-1047. |
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| 作者姓名： | 王三胜 顾彪 |
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| 作者单位： | 清华大学物理系 北京100084
(王三胜)，大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 大连116024(顾彪) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 基于热力学平衡理论,对在电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积系统中的Ga N薄膜生长给出了一个化学平衡模型.计算表明,Ga N生长的驱动力Δp是以下生长条件的函数: 族输入分压,输入 / 比,生长温度.计算了六方和立方Ga N的生长相图,计算结果和我们的实验结果显示出一定的一致性.通过分析,解释了高温和高 / 比生长条件适合六方Ga N的原因.上述模型可以延伸到用于Ga N单晶薄膜生长的类似系统中.
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| 关 键 词： | GaN ECR-PEMOCVD 热力学分析 生长相图 |
Thermodynamic Modeling and Phase Diagrams of Hexagonal and Cubic GaN Single-Crystal Film Growth by ECR-PEMOCVD Method |
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| Wang Sansheng,GU Biao.Thermodynamic Modeling and Phase Diagrams of Hexagonal and Cubic GaN Single-Crystal Film Growth by ECR-PEMOCVD Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(9):1041-1047. |
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| Authors: | Wang Sansheng GU Biao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN ECR-PEMOCVD thermodynamic analysis growth phase diagram |
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