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| p型GaN上透明电极的研究现状 | |
| 引用本文： | 董建新,方亮,张淑芳,高岭,孔春阳. p型GaN上透明电极的研究现状[J]. 真空科学与技术学报, 2007, 27(Z1): 5-9 |
| 作者姓名： | 董建新 方亮 张淑芳 高岭 孔春阳 |
| 作者单位： | 1. 重庆大学应用物理系,重庆,400044 2. 重庆大学应用物理系,重庆,400044;重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆,400044 3. 重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆,400047 |
| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划;重庆市科技攻关项目;重庆大学校科研和教改项目 |
| 摘 要： | GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料.本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了获得良好电极性能的途径,并从电极的制备方法、光电特性等方面讨论了近年来透明导电薄膜作为p-GaN接触的研究进展,并对未来的发展方向进行了简要说明. |
| 关 键 词： | 透明导电膜 欧姆接触 透明电极 |
| 文章编号： | 1672-7126(2007)增-0005-05 |
| 修稿时间： | 2006-10-21 |
Latest Progress of Transparent Electrode on p-Type GaN |
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| Dong Jianxin,Fang Liang,Zhang Shufang,Gao Ling,Kong Chunyang. Latest Progress of Transparent Electrode on p-Type GaN[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2007, 27(Z1): 5-9 | |
| Authors: | Dong Jianxin Fang Liang Zhang Shufang Gao Ling Kong Chunyang |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaN |
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