用高分辨率电子显微技术研究Ⅲ族氮化物半导体的特性 |
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作者姓名: | 阎发旺 |
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摘 要: | 利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延(PE-MBE)生长的GaN,Aln和InN薄膜的微结构特性。闪匀矿和纤锌矿多晶相分别在(001)GaAs和0001)6H-SiC衬底上优先成核。沿(111)平面的层微孪晶是闪锌矿结构薄膜的主要缺陷,而在纤锌矿结构薄膜中,以沿(0002)平面的层错和始于衬底表达的线缺陷更为常见。在适宜的缓冲层上生长的薄膜晶体质量有所提高.
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关 键 词: | 氮化物半导体 电子显微技术 高分辨率 |
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