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| 闭管气相生长掺铝ZnTe | |
| 作者姓名： | 吴光恒 |
| 摘 要： | ZnTe 半导体材料的反型(制备 n 型材料),对于发光和光电器件是很有意义的。一般说来闭管化学气相法是一种适于易挥发材料单晶生长的方法。但过去在制备 n 型 ZnTe 方面用得较少。日本三重大学等单位的科学家用气相方法闭管生长了掺杂 ZaTe n 型层。通常实验上用封闭石英管系统,用碘作为输运物质。将6个9的锌和碲及适量的5个9的铝直接合成原料。掺杂剂铝的量为5mol%或10mol%,衬底使用(100)非掺杂 GaSb 或是在晶锭单相 |
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