| 化学气相沉积过程各参数对沉积速度和薄膜晶体组织结构的影响 |
| |
| 引用本文： | 徐庆元,熊国刚,肖李鹏.化学气相沉积过程各参数对沉积速度和薄膜晶体组织结构的影响[J].理化检验(物理分册),2001,38(10):420-423. |
| |
| 作者姓名： | 徐庆元 熊国刚 肖李鹏 |
| |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所,四川,绵阳,621900 |
| |
| 摘 要： | 以氢气还原氯化钨沉积纯钨薄膜为例，简述了化学气相沉积法反应的主要原理，叙述了在反应过程中各参数对沉积速率的影响，及各参数对晶体结构的影响。
|
| 关 键 词： | 化学气相沉积 薄膜 沉积速率 晶体结构 沉积参数 反应原理 |
| 文章编号： | 1001-4012(2001)10-0420-04 |
| 修稿时间： | 2001年4月9日 |
THE INFLUENCES OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSING PARA-METERS COATING RATE AND FILM CRYSTAL STRUCTURES |
| |
| XU Qing yuan,XIONG Guo gang,XIAO Li peng.THE INFLUENCES OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSING PARA-METERS COATING RATE AND FILM CRYSTAL STRUCTURES[J].Physical Testing and Chemical Analysis Part A:Physical Testing,2001,38(10):420-423. |
| |
| Authors: | XU Qing yuan XIONG Guo gang XIAO Li peng |
| |
| Abstract: | The principle of chemical vapor deposition was introduced by examplification of tungsten film deposition through hydrogen reduction of tungsten chloride. The influences of processing parameters during chemical vapor deposition on deposition rate and crystal structure were studied. |
| |
| Keywords: | Chemical vapor deposition Film Coating rate Crystal structure |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
