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| 索尼公司提出了新型双极结构 | |
| 引用本文： | 哨兵.索尼公司提出了新型双极结构[J].微纳电子技术,1974(11). |
| 作者姓名： | 哨兵 |
| 摘 要： | 日本索尼公司采用发射极低浓度结构,研制出可望改变所有双极器件结构的技术。已往的发射区浓度较基区高几个量级,而发射极电流则几乎由发射极注入电流所组成。索尼公司提出的发射区浓度反而比基区低一至二个量级,且在发射区内有电势垒,这一势垒将来自基区的少子予以反射,不许其变成发射极电流成分。这种双极结构是N~+NPN,即发射极由N~+N组成,发射区N的浓度较P低一至二个量级。据称,这种技术的优点在于适合于大量生产,防止发射极陷落效应,发射极掺杂不影响基区浓度的再分布,可防 |
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