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半导体激光器温度控制研究
引用本文:曾华林,江鹏飞,谢福增. 半导体激光器温度控制研究[J]. 激光与红外, 2004, 34(5): 339-340
作者姓名:曾华林  江鹏飞  谢福增
作者单位:中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083
摘    要:温度对半导体激光器的特性有很大的影响。为了使半导体激光器输出功率稳定,必须对其温度进行高精度的控制。利用PID 控制网络设计了温控系统,控制精度达到±0. 01 ℃,与无PID 控制网络相比,极大的提高了系统的瞬态特性,并且试验发现采用带有温控系统的半导体激光器的输出功率稳定性比没有温控系统的输出功率得到显著改善。

关 键 词:半导体激光器(LD)  温度控制  PID控制网络  瞬态特性
文章编号:1001-5078(2004)05-0339-02

Temperature Control of Semiconductor Laser for Interferometry
ZENG Hua-lin,JIANG Peng-fei,XIE Fu-zeng. Temperature Control of Semiconductor Laser for Interferometry[J]. Laser & Infrared, 2004, 34(5): 339-340
Authors:ZENG Hua-lin  JIANG Peng-fei  XIE Fu-zeng
Abstract:
Keywords:semiconductor laser   temperature control   PID control system   response character
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