| 蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长 |
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| 引用本文： | 肖红领,王晓亮,张南红,王军喜,刘宏新,韩勤,曾一平,李晋闽.蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长[J].半导体学报,2005,26(6). |
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| 作者姓名： | 肖红领 王晓亮 张南红 王军喜 刘宏新 韩勤 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×1018cm-3,相应的电子迁移率为262cm2/(V·s).
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| 关 键 词： | RF-MBE 氮化铟 DCXRD AFM |
RF-MBE Growth of an InN Epilayer on Sapphire Substrate |
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| Xiao Hongling,Wang Xiaoliang,Zhang Nanhong,Wang Junxi,LIU Hongxin,HAN Qin,Zeng Yiping,Li Jinmin.RF-MBE Growth of an InN Epilayer on Sapphire Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6). |
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| Authors: | Xiao Hongling Wang Xiaoliang Zhang Nanhong Wang Junxi LIU Hongxin HAN Qin Zeng Yiping Li Jinmin |
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