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SnO2:Sb薄膜的制备和光致发光性质
引用本文:王玉恒,马瑾,计峰,余旭浒,张锡健,马洪磊. SnO2:Sb薄膜的制备和光致发光性质[J]. 半导体学报, 2005, 26(5)
作者姓名:王玉恒  马瑾  计峰  余旭浒  张锡健  马洪磊
作者单位:山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100
基金项目:国家自然科学基金,教育部科学技术基金
摘    要:用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外-紫光发射,发射强度随制备功率的增加而增强,且样品退火后发射强度也明显增强.紫外-紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁.

关 键 词:SnO2:Sb薄膜  射频磁控溅射  光致发光

Preparation and Photoluminescence Characteristic of SnO: Sb Thin Films
Wang Yuheng,Ma Jin,Ji Feng,Yu Xuhu,ZHANG Xijian,Ma Honglei. Preparation and Photoluminescence Characteristic of SnO: Sb Thin Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(5)
Authors:Wang Yuheng  Ma Jin  Ji Feng  Yu Xuhu  ZHANG Xijian  Ma Honglei
Abstract:
Keywords:
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