| CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型 |
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| 引用本文： | 陈军宁,于峰崎,王阳,柯导明.CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型[J].半导体学报,2005,26(7). |
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| 作者姓名： | 陈军宁 于峰崎 王阳 柯导明 |
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| 作者单位： | 1. 安徽大学电子系,合肥,230039
2. 苏州中科集成电路设计中心,苏州,215021 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 对一种与CMOS工艺兼容的电容型湿度传感器进行了理论推导,物理建模和模拟仿真.该湿度传感器是采用梳状铝电极结构,聚酰亚胺作为感湿介质.通过分析感湿介质的介电常数吸附水分后的变化,考虑其电场分布,对电容型湿度传感器的理论模型进行了研究和模拟.利用Matlab软件对理论模型进行仿真,结果表明所建模型比通常采用的Laconte模型更符合实验结果.
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| 关 键 词： | 湿度传感器 电容 介电常数 聚酰亚胺 灵敏度 |
A Theoretical Model for a Capacitive Humidity Sensor Compatible with CMOS Technology |
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| CHEN Junning,Yu Fengqi,Wang Yang,KE Daoming.A Theoretical Model for a Capacitive Humidity Sensor Compatible with CMOS Technology[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(7). |
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| Authors: | CHEN Junning Yu Fengqi Wang Yang KE Daoming |
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