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| (p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管 | |
| 引用本文： | 韦文生,王天民,张春熹,李国华,卢励吾.(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管[J].半导体学报,2005,26(4). |
| 作者姓名： | 韦文生 王天民 张春熹 李国华 卢励吾 |
| 作者单位： | 1. 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京,100083;北京航空航天大学光电技术研究所,北京,100083 2. 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京,100083 3. 北京航空航天大学光电技术研究所,北京,100083 4. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，高等学校博士学科点专项科研项目，国家自然科学基金，北京航空航天大学校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性. |
| 关 键 词： | (p)nc-Si:H薄膜 (p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结 变容二极管 |
Variable Capacitance Diodes of (p) nc-Si: H/(n) c-Si Heterojunction |
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| Wei Wensheng,Wang Tianmin,Zhang Chunxi,LI Guohua,LU Liwu.Variable Capacitance Diodes of (p) nc-Si: H/(n) c-Si Heterojunction[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(4). | |
| Authors: | Wei Wensheng Wang Tianmin Zhang Chunxi LI Guohua LU Liwu |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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