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双栅MOSFET扩散岛电阻的考虑
引用本文:
董忠.双栅MOSFET扩散岛电阻的考虑[J].半导体技术,1986(6).
作者姓名:
董忠
作者单位:
成都电讯工程学院
摘 要:
本文采用适用于双栅结构的双向直流传输特性方法分析了又栅MOSFET在考虑扩散岛电阻后的内电压和工作状态,可用于器件特性分析及电路设计中.结果表明在一定电阻值范围内,该方法是简便而有效的.
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