| 用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜 |
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| 引用本文： | 龙永福,朱自强,赖宗声,忻佩胜,石艳玲.用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜[J].半导体学报,2002,23(6):609-613. |
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| 作者姓名： | 龙永福 朱自强 赖宗声 忻佩胜 石艳玲 |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学电子系,上海,200062;常德师范学院物理系,常德,415000;2. 华东师范大学电子系,上海,200062 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69876012; |
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| 摘 要： | 提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.
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| 关 键 词： | 微波/射频 多孔硅/氧化多孔硅 介质膜 损耗 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)06-0609-05 |
| 修稿时间： | 2001年9月29日 |
A Low-Loss Interlayer--Thick Layers of Porous Silicon and Oxidized Porous Silicon for Application to the Microwave/RF-IC |
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| Long Yongfu ,Zhu Ziqiang ,Lai Zongsheng ,Xin Peisheng and Shi Yanling.A Low-Loss Interlayer--Thick Layers of Porous Silicon and Oxidized Porous Silicon for Application to the Microwave/RF-IC[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(6):609-613. |
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| Authors: | Long Yongfu Zhu Ziqiang Lai Zongsheng Xin Peisheng and Shi Yanling |
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| Affiliation: | Long Yongfu 1,2,Zhu Ziqiang 1,Lai Zongsheng 1,Xin Peisheng 1 and Shi Yanling 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microwave/RF porous silicon/oxidized porous silicon interlayer loss |
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