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| 高台型GaAs—Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器的液相外延 | |
| 引用本文： | 周子新.高台型GaAs—Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器的液相外延[J].半导体光电,1979(3). |
| 作者姓名： | 周子新 |
| 摘 要： | 一.引言对于 AlGaAs 双异质结激光器,用液相外延的方法,可以生长出性能十分良好的多层外延片。用此方法,我们在 GaAs 单晶衬底上制备了包括四层结构(n 型 Al_xGa_*(1-x)As,P 型 Al_YGa_(1-Y)As 和 P 型 GaAs)的双异质结构注入型激光器。去年我们制作出能连续工作的激光器,其寿命很短,只几分钟,且性能不稳定。经分析认为,是外延片质量不 |
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