| MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响 |
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| 引用本文： | 徐洁,李青,林慧,王洪.MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响[J].电子科技大学学报（自然科学版）,2012,41(6):941-943. |
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| 作者姓名： | 徐洁 李青 林慧 王洪 |
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| 作者单位： | 1.电子科技大学光电信息学院 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 |
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| 基金项目： | 教育部留学归国基金(GGRYJJ08-05);中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2009J054) |
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| 摘 要： | 以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率(μ)的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 μA,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。
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| 关 键 词： | 空穴迁移率 MoO3缓冲层 有机薄膜晶体管 阈值电压 |
| 收稿时间： | 2011-01-17 |
Effect of MoO3 Buffer Layer on the Performance of Organic Thin Film Transistor |
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| Affiliation: | 1.School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054 |
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| Abstract: | High field effect mobility (μ) organic thin film transistor (OTFT) was fabricated by using MoO3 buffer layer between organic semiconductor (pentacene) and source/drain electrodes (Ag). The hole mobility of OTFT reached 0.26 cm2/Vs and output current IDS achieved more than 50 μA when the gate voltage was 40 V. The detailed effect of MoO3 buffer layer was analyzed via output characteristics and physical mechanism. |
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