| 30 V沟槽MOSFET优化设计 |
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| 引用本文： | 孙伟锋,张萌,王钦.30 V沟槽MOSFET优化设计[J].微电子学,2008,38(3):338-341. |
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| 作者姓名： | 孙伟锋 张萌 王钦 |
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| 摘 要： | 借助半导体专业模拟软件Tsuprem-4 和Medici,模拟得到一组最佳的30 V 沟槽MOSFET结构和工艺参数;给出了特性模拟曲线.在此基础上,详细讨论了沟槽的宽度和深度变化对沟槽 MOSFET的阈值电压、击穿电压、漏电流及导通电阻等特性的影响.最后,根据模拟得到的最佳参数进行了流片实验.结果表明,所设计器件的击穿电压大于35 V,Vgs为10 V下的导通电阻为21 mΩ* mm2.
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| 关 键 词： | 沟槽 MOSFET 击穿电压 导通电阻 阈值电压 沟槽 MOSFET 优化设计 Trench Optimization 器件 结果 实验 工艺参数 影响 导通电阻 漏电流 击穿电压 阈值电压 深度变化 宽度 模拟曲线 特性 结构 最佳 |
Design and Optimization of 30 V Trench MOSFET |
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| SUN Weifeng,ZHANG Meng,WANG Qin.Design and Optimization of 30 V Trench MOSFET[J].Microelectronics,2008,38(3):338-341. |
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| Authors: | SUN Weifeng ZHANG Meng WANG Qin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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