| 压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法 |
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| 引用本文： | 张冠柔,傅实,彭程,李学宝,唐新灵,赵志斌,崔翔.压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法[J].半导体技术,2021,46(5):393-401. |
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| 作者姓名： | 张冠柔 傅实 彭程 李学宝 唐新灵 赵志斌 崔翔 |
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| 作者单位： | 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京 102206;全球能源互联网研究院有限公司,北京 102209 |
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| 摘 要： | 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流.结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB的一体化电路模型,分析了栅极内电阻、栅射极电容以及驱动电阻对驱动电压一致性的影响.在此基础上提出了驱动PCB电感匹配、并联芯片数匹配以及集中电阻补偿的驱动PCB的调控方法,以实现对栅极电压一致性的有效调控.研究表明驱动电阻是造成芯片栅极电压不一致的主要因素.利用上述调控方法可将芯片开通时间的不均衡度由79.2％分别降低至2.86％、7.1％和7.5％,实验验证了所提出的驱动PCB调控方法的有效性.
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| 关 键 词： | 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT) 并联均流 栅极电压一致性 驱动印制电路板(PCB) 布线原则 调控方法 |
Influence Factors and Control Method of Gate Voltage Uniformity in Press-Packed IGBTs |
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| Zhang Guanrou,Fu Shi,Peng Cheng,Li Xuebao,Tang Xinling,Zhao Zhibin,Cui Xiang.Influence Factors and Control Method of Gate Voltage Uniformity in Press-Packed IGBTs[J].Semiconductor Technology,2021,46(5):393-401. |
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| Authors: | Zhang Guanrou Fu Shi Peng Cheng Li Xuebao Tang Xinling Zhao Zhibin Cui Xiang |
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