| Tb3+∶YAG单晶荧光层中掺杂Ga3+的荧光敏化作用 |
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| 引用本文： | 饶海波,成建波,黄宗琳.Tb3+∶YAG单晶荧光层中掺杂Ga3+的荧光敏化作用[J].光学学报,2004,24(2):264-267. |
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| 作者姓名： | 饶海波 成建波 黄宗琳 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054;电子科技大学光电信息学院,成都,610054 |
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| 基金项目： | 四川省重点科学计划 (0 1GG190 1)资助课题 |
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| 摘 要： | 采用液相外延工艺成功制备了Tb3 + ∶YAGG单晶荧光层 ,研究了Tb3 + 激活YAG主晶格外延层中Ga3 + 掺杂的荧光敏化效应 ,可以看到在Tb3 + 荧光得到显著增强的同时 ,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga3 + 掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽 ,并与Tb3 + 的7F6 9E、7E典型吸收峰发生交叠的现象 ,用基质与Tb3 + 之间的声子耦合解释了上述Tb3 + ∶YAGG外延层中所存在的能量传递、荧光敏化现象。基质与掺杂激活中心间能量传递机制的建立将会为基于YAG主晶格的高效荧光材料研究提供一个新的思路。
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| 关 键 词： | 光学材料 荧光敏化 外延荧光层 YAG晶体 Tb3+∶YAGG晶体 |
| 收稿时间： | 2002/11/18 |
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