富士通公司开发两种具有实用价值的超高速LSI存储器 |
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引用本文: | 松川.富士通公司开发两种具有实用价值的超高速LSI存储器[J].微电子学,1986(1). |
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作者姓名: | 松川 |
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摘 要: | 最近,富士通公司开发并出售了两种超高速大规模集成电路存储器:一种是16k位ECLRAM,另一种是72k位静态RAM。 其中超高速16k位RAM有两个品种,即:10k系列(MBM10484-15)和100k系列(MBM100484-15)。结构均为4k字×4位,地址存取时间最大为15毫微秒,芯片选择存取时间最大为8毫微秒,最大功耗为1.25W(10k系列),1.08W(100k系列)。输出形式为开路发射极输出方式,采用“或”连接可易于实行存储器扩展。
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