| 4英寸VGFGaAs单晶生长的数值模拟与实验研究 |
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| 引用本文： | 丁国强,苏小平,屠海令,张峰燚,涂凡. 4英寸VGFGaAs单晶生长的数值模拟与实验研究[J]. 稀有金属, 2009, 33(2) |
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| 作者姓名： | 丁国强 苏小平 屠海令 张峰燚 涂凡 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学科技公司,北京,100088 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长.首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接近的炉体模型.根据此模型,采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布、晶体及熔体的温度梯度、界面位置等.通过对单晶生长不同时间点的模拟,制定了一套单晶的生长工艺.然后,严格遵循此工艺进行单晶生长实验.通过对实验和模拟结果的对比分析,建立了实验和数值模拟之间的联系,为进一步利用数值模拟指导晶体的实际生长提供了依据.最后,利用数值模拟研究了单晶生长中"边界效应",探讨了晶体生长过程中产生多晶的原因.
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| 关 键 词： | 砷化镓 单晶 数值模拟 垂直梯度凝固 |
Numerical Simulation and Experimental Study on 4" VGF GaAs Crystal Growth |
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| Ding Guoqiang,Su Xiaoping,Tu Hailing,Zhang Fengyi,Tu Fan. Numerical Simulation and Experimental Study on 4" VGF GaAs Crystal Growth[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2009, 33(2) |
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| Authors: | Ding Guoqiang Su Xiaoping Tu Hailing Zhang Fengyi Tu Fan |
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