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| n-型多孔Si/TiO_2纳米线异质结构的制备及光电化学性能 | |
| 摘 要： | 采用光辅助电化学腐蚀法制备了n-型多孔硅衬底,再采用水热法在其表面生长Ti O_2纳米线制得了三维n-型多孔Si/Ti O_2纳米线异质结构.通过X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能量散射等表征证实了n-型多孔Si/Ti O_2纳米线异质结构的形成.紫外-可见漫反射光谱测试结果表明,n-型多孔硅与Ti O_2纳米线的复合提高了紫外-可见波段的光吸收.光电性能测试结果表明,3个样品中n-型多孔Si/Ti O_2纳米线异质结作为光电极的光电流最高,这说明n-型多孔Si/Ti O_2纳米线作为光电极具有更高的光电化学分解水性能. |
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