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| 硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究 | |
| 引用本文： | 王琪琨,朱长纯,史永胜.硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究[J].纳米科技,2004(2). |
| 作者姓名： | 王琪琨 朱长纯 史永胜 |
| 作者单位： | [1]西安交通大学电子与信信息工程学院 [2]西安交通大学电子与信信息工程学院 陕西西安 [3]陕西西安 |
| 摘 要： | 该文研究了用涂敷法制备碳纳米管(CNT)厚膜的制备和场发射特性,裂解法获得的碳纳米管与玻璃粉等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,二极管结构测量的结果表明,碳纳米管厚膜有较低的开启电场(1.0～1.5v/μm),场强为5V/μm时,电流密度达到了50μA/cm~2。该工艺的烧结过程应控制好,加热时间稍长,会使CNT厚膜的场发射性能很快下降,时间过长会使CNT处在厚膜表面之下,无法有效发射电子。浆料中的玻璃粉比例增大时,碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低。 |
| 关 键 词： | 碳纳米管厚膜 涂敷 粘结剂 场发射 |
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