| SRAM激光微束单粒子效应实验研究 |
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| 引用本文： | 罗尹虹,郭红霞,陈伟,姚志斌,张凤祁,王园明.SRAM激光微束单粒子效应实验研究[J].微电子学,2010,40(3). |
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| 作者姓名： | 罗尹虹 郭红霞 陈伟 姚志斌 张凤祁 王园明 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安,710024 |
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| 摘 要： | 结合器件版图,通过对2 k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈值,并对SRAM器件的单粒子闭锁敏感度进行测试.结果表明,存储单元中截止N管漏区、截止P管漏区、对应门控管漏区是单粒子翻转的敏感区域;实验中没有测到该器件发生单粒子闭锁现象,表明采用外延工艺以及源漏接触、版图布局调整等设计对器件抗单粒子闭锁加固是十分有效的.
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| 关 键 词： | 激光微束 单粒子效应 等效LET阈值 |
Laser Microbeam Experiment on Single Event Effect in SRAM |
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| LUO Yinhong,GUO Hongxia,CHEN Wei,YAO Zhibin,ZHANG Fengqi,WANG Yuanming.Laser Microbeam Experiment on Single Event Effect in SRAM[J].Microelectronics,2010,40(3). |
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| Authors: | LUO Yinhong GUO Hongxia CHEN Wei YAO Zhibin ZHANG Fengqi WANG Yuanming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM |
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