| Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能 |
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| 引用本文： | 王瑞春,杜丕一,翁文剑,韩高荣.Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能[J].半导体学报,2002,23(10):1067-1072. |
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| 作者姓名： | 王瑞春 杜丕一 翁文剑 韩高荣 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69776004,69890230; |
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| 摘 要： | 采用真空热蒸发与PECVD方法,在经特殊设计的"单反应室双沉积"设备中沉积了Al/a-Si∶H复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究.结果表明,Al/a-Si∶H复合薄膜在不高于250℃的退火条件下即开始出现硅的晶体相.退火温度越高,Al层越厚,形成多晶硅的量越多.Al/a-Si∶H复合薄膜的电导率受Al原子在a-Si∶H中掺杂效应的影响,比纯a-Si∶H薄膜的大.随着硅晶体相在复合薄膜中的生成,复合薄膜的电导率受晶相比控制,晶相比增加,电导率增大.
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| 关 键 词： | a-Si∶H Al诱导晶化 双层复合薄膜 多晶硅 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)10-1067-06 |
| 修稿时间： | 2001年9月25日 |
Conductive Behavior of Al/a-Si∶H Bilayer Thin Films |
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| Wang Ruichun,Du Piyi,Weng Wenjian and Han Gaorong.Conductive Behavior of Al/a-Si∶H Bilayer Thin Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(10):1067-1072. |
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| Authors: | Wang Ruichun Du Piyi Weng Wenjian and Han Gaorong |
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