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| 衬底温度对中频磁控溅射ZnO∶Al透明导电薄膜性能的影响 | |
| 作者姓名： | 黄宇 熊强 薛俊明 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 |
| 作者单位： | 中北大学电子工程系仪器科学与动态测试教育部重点实验室，河北省信息产业厅唐山无线电管理分局，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室，中北大学电子工程系仪器科学与动态测试教育部重点实验室，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室 山西太原030051，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电信息技术科学教育部重点实验室，天津300071，河北唐山063000，天津300071，山西太原030051，天津300071，天津300071，天津300071 |
| 摘 要： | ZnO∶Al(ZAO)薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99.99%)金属材料做靶,采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响,获得适合太阳电池的高效能薄膜,薄膜厚度700 nm左右,其电阻率为4.6×10-4Ω.cm,载流子浓度1.98×1020cm-3,霍尔迁移率61.9 cm2/(V.s),可见光范围内(波长400~800 nm)的平均透过率大于85%. |
| 关 键 词： | 凝聚态物理学 中频磁控溅射 ZnO∶Al(ZAO)薄膜 衬底温度 载流子浓度 霍尔迁移率 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
