| 溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究 |
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| 引用本文： | 时彬彬,闵嘉华,梁小燕,张继军,王林军,邢晓兵,段磊,孟华,杨升.溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究[J].人工晶体学报,2015,44(4):857-862. |
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| 作者姓名： | 时彬彬 闵嘉华 梁小燕 张继军 王林军 邢晓兵 段磊 孟华 杨升 |
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| 作者单位： | 上海大学电子信息材料系,上海,200444 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11275122,51472155,11375112);上海市科委重点项目(11530500200);上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096) |
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| 摘 要： | 用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ～Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体.
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| 关 键 词： | 溶剂熔区移动法 Cd0.9Zn0.1Te 红外透过率 PICTS |
Fabrication and the Properties of Cd0.9Zn0.1Te Crystal by Traveling Solvent Melting Zone Method |
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